Replenish and relax: Explaining logarithmic annealing in ion-implanted c-Si

Laurent Karim Béland, Yonathan Anahory, Dries Smeets, Matthieu Guihard, Peter Brommer, Jean François Joly, Jean Christophe Pothier, Laurent J. Lewis, Normand Mousseau, François Schiettekatte

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

תקציר

We study ion-damaged crystalline silicon by combining nanocalorimetric experiments with an off-lattice kinetic Monte Carlo simulation to identify the atomistic mechanisms responsible for the structural relaxation over long time scales. We relate the logarithmic relaxation, observed in a number of disordered systems, with heat-release measurements. The microscopic mechanism associated with this logarithmic relaxation can be described as a two-step replenish and relax process. As the system relaxes, it reaches deeper energy states with logarithmically growing barriers that need to be unlocked to replenish the heat-releasing events leading to lower-energy configurations.

שפה מקוריתאנגלית אמריקאית
מספר המאמר105502
כתב עתPhysical Review Letters
כרך111
מספר גיליון10
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 4 ספט׳ 2013
פורסם באופן חיצוניכן

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.3100.3100???

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Replenish and relax: Explaining logarithmic annealing in ion-implanted c-Si'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי