Optimizing the Write Fidelity of MRAMs

Yongjune Kim, Yoocharn Jeon, Cyril Guyot, Yuval Cassuto

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

תקציר

Magnetic random-access memory (MRAM) is a promising memory technology due to its high density, non-volatility, and high endurance. However, achieving high memory fidelity incurs significant write-energy costs, which should be reduced for the large-scale deployment of MRAMs. In this paper, we formulate an optimization problem to maximize the memory fidelity given energy constraints, and propose a biconvex optimization approach to solve it. The basic idea is to allocate non-uniform write pulses depending on the importance of each bit position. We consider the mean squared error (MSE) as a fidelity metric and propose an iterative water-filling algorithm to minimize the MSE. Although the iterative algorithm does not guarantee the global optimality, we can choose a proper starting point that decreases the MSE exponentially and guarantees fast convergence. For an 8-bit accessed word, the proposed algorithm reduces the MSE by a factor of 21.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארח2020 IEEE International Symposium on Information Theory, ISIT 2020 - Proceedings
עמודים792-797
מספר עמודים6
מסת"ב (אלקטרוני)9781728164328
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - יוני 2020
אירוע2020 IEEE International Symposium on Information Theory, ISIT 2020 - Los Angeles, ארצות הברית
משך הזמן: 21 יולי 202026 יולי 2020

סדרות פרסומים

שםIEEE International Symposium on Information Theory - Proceedings
כרך2020-June

כנס

כנס2020 IEEE International Symposium on Information Theory, ISIT 2020
מדינה/אזורארצות הברית
עירLos Angeles
תקופה21/07/2026/07/20

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.2600.2614???
  • ???subjectarea.asjc.1700.1710???
  • ???subjectarea.asjc.2600.2611???
  • ???subjectarea.asjc.2600.2604???

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Optimizing the Write Fidelity of MRAMs'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי