Early stages of oxide growth in H-terminated silicon nanowires: Determination of kinetic behavior and activation energy

Muhammad Y. Bashouti, Kasra Sardashti, Juergen Ristein, Silke H. Christiansen

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

תקציר

Silicon nanowires (Si NWs) terminated with hydrogen atoms exhibit higher activation energy under ambient conditions than equivalent planar Si(100). The kinetics of sub-oxide formation in hydrogen-terminated Si NWs derived from the complementary XPS surface analysis attribute this difference to the Si-Si backbond and Si-H bond propagation which controls the process at lower temperatures (T < 200°C). At high temperatures (T ≥ 200°C), the activation energy was similar due to self-retarded oxidation. This finding offers the understanding of early-stage oxide growth that affects the conductance of the near-gap channels leading towards more efficient Si NW electronic devices. This journal is

שפה מקוריתאנגלית אמריקאית
עמודים (מ-עד)11877-11881
מספר עמודים5
כתב עתPhysical Chemistry Chemical Physics
כרך14
מספר גיליון34
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 14 ספט׳ 2012
פורסם באופן חיצוניכן

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.3100.3100???
  • ???subjectarea.asjc.1600.1606???

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Early stages of oxide growth in H-terminated silicon nanowires: Determination of kinetic behavior and activation energy'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי