A new binary phase in the tin monoselenide system: Chemical epitaxy of orthorhombic γ-SnSe thin films

Bar Koren, Ran E. Abutbul, Vladimir Ezersky, Nitzan Maman, Yuval Golan

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

תקציר

A new orthorhombic binary phase in the tin mono-selenide system, γ-SnSe, was deposited from solution onto an intermediate layer of PbS on GaAs substrates. Its structure is based on orthorhombic lead telluride (PbTe) which was reported to exist at high pressures, yet has never been observed in SnSe. The proposed model of γ-SnSe was experimentally determined using X-ray diffraction with lattice parameters a0 = 0.8332 nm, b0 = 0.4136 nm, c0 = 0.6115 nm, Rp = 5.96, and Rwp = 8.16. The films show heteroepitaxial relations with the underlying layer of PbS.

שפה מקוריתאנגלית אמריקאית
עמודים (מ-עד)5004-5011
מספר עמודים8
כתב עתMaterials Chemistry Frontiers
כרך5
מספר גיליון13
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 7 יולי 2021

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.2500.2505???
  • ???subjectarea.asjc.2500.2500???

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'A new binary phase in the tin monoselenide system: Chemical epitaxy of orthorhombic γ-SnSe thin films'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי