30-46 GHz 1.5dB IL Negative Gate Control SPDT with 24.5dBm IP1 in 130nm CMOS

Sumeet Londhe, Noam Bar-Helmer, Samuel Jameson, Eran Socher

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

תקציר

In this paper a novel way of improving IP1 of SPDT switches is presented. IP1 of a SPDT generally degrades with power due to the leakage to the isolated port. Adding a negative control to the off state of the switch improves IP1 performance considerably while lowering the insertion loss. Compared to traditional series/shunt SPDT designs the negative gate control shunt SPDT provides wider bandwidth, lower insertion loss, higher isolation and higher IP1. The negative gate control SPDT outperforms traditional SPDTs and state of the art achieving an insertion loss of 1.5dB with wide band isolation (20-50GHz) better than 23dB and an IP1 of 24.5dBm in low-cost 130nm CMOS.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארחEuMIC 2021 - 2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference
מוציא לאורInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
עמודים213-216
מספר עמודים4
מסת"ב (אלקטרוני)9782874870644
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 2021
אירוע16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021 - London, בריטניה
משך הזמן: 3 אפר׳ 20224 אפר׳ 2022

סדרות פרסומים

שםEuMIC 2021 - 2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference

כנס

כנס16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021
מדינה/אזורבריטניה
עירLondon
תקופה3/04/224/04/22

ASJC Scopus subject areas

  • ???subjectarea.asjc.1700.1705???
  • ???subjectarea.asjc.2200.2208???
  • ???subjectarea.asjc.2500.2504???
  • ???subjectarea.asjc.3100.3105???

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום '30-46 GHz 1.5dB IL Negative Gate Control SPDT with 24.5dBm IP1 in 130nm CMOS'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי