A new binary phase in the tin monoselenide system: Chemical epitaxy of orthorhombic γ-SnSe thin films

Bar Koren, Ran E. Abutbul, Vladimir Ezersky, Nitzan Maman, Yuval Golan

نتاج البحث: نشر في مجلةمقالةمراجعة النظراء

ملخص

A new orthorhombic binary phase in the tin mono-selenide system, γ-SnSe, was deposited from solution onto an intermediate layer of PbS on GaAs substrates. Its structure is based on orthorhombic lead telluride (PbTe) which was reported to exist at high pressures, yet has never been observed in SnSe. The proposed model of γ-SnSe was experimentally determined using X-ray diffraction with lattice parameters a0 = 0.8332 nm, b0 = 0.4136 nm, c0 = 0.6115 nm, Rp = 5.96, and Rwp = 8.16. The films show heteroepitaxial relations with the underlying layer of PbS.

اللغة الأصليةإنجليزيّة أمريكيّة
الصفحات (من إلى)5004-5011
عدد الصفحات8
دوريةMaterials Chemistry Frontiers
مستوى الصوت5
رقم الإصدار13
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - 7 يوليو 2021

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • !!Materials Chemistry
  • !!General Materials Science

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “A new binary phase in the tin monoselenide system: Chemical epitaxy of orthorhombic γ-SnSe thin films'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا