30-46 GHz 1.5dB IL Negative Gate Control SPDT with 24.5dBm IP1 in 130nm CMOS

Sumeet Londhe, Noam Bar-Helmer, Samuel Jameson, Eran Socher

نتاج البحث: فصل من :كتاب / تقرير / مؤتمرمنشور من مؤتمرمراجعة النظراء

ملخص

In this paper a novel way of improving IP1 of SPDT switches is presented. IP1 of a SPDT generally degrades with power due to the leakage to the isolated port. Adding a negative control to the off state of the switch improves IP1 performance considerably while lowering the insertion loss. Compared to traditional series/shunt SPDT designs the negative gate control shunt SPDT provides wider bandwidth, lower insertion loss, higher isolation and higher IP1. The negative gate control SPDT outperforms traditional SPDTs and state of the art achieving an insertion loss of 1.5dB with wide band isolation (20-50GHz) better than 23dB and an IP1 of 24.5dBm in low-cost 130nm CMOS.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
عنوان منشور المضيفEuMIC 2021 - 2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference
ناشرInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
الصفحات213-216
عدد الصفحات4
رقم المعيار الدولي للكتب (الإلكتروني)9782874870644
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - 2021
الحدث16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021 - London, بريطانيا
المدة: ٣ أبريل ٢٠٢٢٤ أبريل ٢٠٢٢

سلسلة المنشورات

الاسمEuMIC 2021 - 2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference

!!Conference

!!Conference16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021
الدولة/الإقليمبريطانيا
المدينةLondon
المدة٣/٠٤/٢٢٤/٠٤/٢٢

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • !!Computer Networks and Communications
  • !!Electrical and Electronic Engineering
  • !!Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • !!Instrumentation

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “30-46 GHz 1.5dB IL Negative Gate Control SPDT with 24.5dBm IP1 in 130nm CMOS'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا